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HUF75332P3 |
TO-220-3 | Fairchild Semiconductor | 1748 | 閻絻鐦介敍锟�0755-83217923 询价QQ：  |
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HUF75332P3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 55V 60A TO-220AB 包装数量：400 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：55V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：60A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：19 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：85nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1300pF @ 25V 功率 - 最大值：145W 安装类型：通孔 |
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热门型号： 振动D7A-3 铝电容器EEE-0JA331AP Card EdgeEEM40DRMS D-SubMDM-37PH019F 按钮开关8N2011-Z 阵列，信号变压器CTX100-1P-R 配件G3BFDNEM 晶体管(BJT) KSC5025OTU 摇臂C1350AABB-602AW 振荡器FXO-HC730-7.15909 |
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